第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）
暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）
17th China International Forum on Solid State Lighting
&2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
把握芯機遇，助力新基建
第二輪征文
論壇第二輪全文征集活動開始了，截止日期為10月15日，歡迎踴躍投稿，可根據意向投稿摘要或全文。意向為Oral Presentation或Poster Presentation的投稿可以選擇提交摘要或全文，在本輪征文完結后統一發送日程安排及最終版錄用通知。意向為論壇論文集收錄并在IEEE電子圖書館發表的投稿者請按格式要求提交全文，論壇長期與IEEE合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是中國地區舉辦的具有國際影響力的半導體照明及智能照明行業性年度盛會。SSLCHINA 已經成功舉辦了十五屆，在過去的15年中，SSLCHINA 的參會嘉賓覆蓋了全球70個國家和地區、邀請了超過2200位演講人、舉辦了超過360場技術及產業峰會、迎來了26000多人次注冊參會代表、收錄技術論文超過1900篇。
國際第三代半導體論壇（IFWS）是引領全球第三代半導體新興產業發展，促進相關產業、技術、人才、資金、政策合力發展的全球性、全產業鏈合作的高端平臺。至今會議已成功舉辦三屆，以第三代半導體在電力電子技術、新一代移動通信技術、固態紫外技術等應用的國際交流與合作為重點，帶動創新合作和技術轉移，為全球范圍的技術與商業合作締造價值。
自2016年開始，中國國際半導體論壇與國際第三代半導體論壇同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
會議時間：2020年11月23-25日
會議地點：中國 · 廣東 · 深圳會展中心·五層
主辦單位
國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
程序委員會
主席：
張榮 -廈門大學教授、校長
聯合主席：
劉明、江風益、李晉閩、張國義、沈波、邱宇峰、盛況、張波、徐科、陳敬、吳偉東、張國旗
分會主席：
沈波、徐現剛、盛況、張波、陸國權、吳偉東、蔡樹軍、張乃千、王軍喜、康俊勇、江風益、劉國旭、楊其長、劉鷹、羅明、瞿佳、郭太良、嚴群、劉明、陶緒堂、趙麗霞、羅小兵
分會委員：
徐科、黎大兵、畢文剛、王志越、杜志游、吳軍、楊敏、柏松、張進成、梁輝南、王來利、李順峰、劉揚、王茂俊、陳堂勝、劉建利、敖金平、張韻、陶國橋、陸海、郭浩中、陳長清、李曉航、許福軍、云峰、伊曉燕、莫慶偉、郭偉玲、張建立、泮進明、賀冬仙、徐虹、劉厚誠、林燕丹、熊大曦、牟同升、蔡建奇、閆春輝、劉斌、徐征、劉國旭、馬松林、劉召軍、張進成、龍世兵、劉玉懷、王新強、王宏興、李世瑋、劉勝、楊道國、宋昌斌
征文方向
P201：襯底、外延及生長裝備
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。本分會的主題涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質外延薄膜、測試表征和相關的設備，對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。 分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示最新研究進展。
征文方向：
-晶體生長和加工
-同（異）質外延
-材料缺陷與表征方法
-研發、加工和檢測設備進展
P202：功率電子器件及封裝技術
SiC和GaN作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。本分會的主題涵蓋碳化硅/氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、碳化硅/氮化鎵功率電子器件柵驅動設計、高效高速碳化硅/氮化鎵功率模塊設計與制造，碳化硅/氮化鎵封裝技術和碳化硅/氮化鎵功率應用與可靠性等。分會將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現碳化硅/氮化鎵功率電子器件及封裝技術研究與應用的最新進展。
征文方向：
- SiC/GaN基功率電子器件技術
- SiC/GaN功率電子器件柵驅動設計
- SiC/GaN功率電子器件封裝技術
- SiC/GaN功率電子器件應用技術
- SiC/GaN功率電子器件市場研究
P203：微波射頻與5G移動通信
氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在5G通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。
本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及HEMT器件在移動通信中的應用等各方面。擬邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
征文方向：
- 高性能微波GaN器件技術
- 用于高性能微波器件的GaN外延技術
- GaN微波集成電路技術
- GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
- GaN器件和電路在移動通信中的應用
- 氮化鎵HEMT器件在5G移動通信中的應用
P204：固態紫外器件技術
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。本分會將重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優秀研究成果，并將邀請多名國際知名與家參加本次會議，力圖全面呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。
征文方向：
- AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
- 紫外發光與探測材料的設計和外延生長
- 高Al組分AlGaN的p型摻雜
- 高效紫外發光器件
- 高靈敏度紫外探測與成像器件
- 紫外光源封裝與模組的光提取
- 紫外半導體材料和器件新進展
P205：半導體照明芯片、封裝及模組技術
白光LED過去十年的快速發展一直圍繞著對光效和成本的不懈追求。經過LED照明的市場起伏與行業洗牌，在進入“十三五“后的新經濟、新動能環境下，LED產業又有哪些發展機遇？芯片與封裝制造技術又有哪些最新進展？倒裝LED芯片進入成熟期，它的性能優勢與價格調整，不僅影響到芯片的市場趨勢，更影響到封裝、模組的技術走向，倒裝芯片的廣泛應用，推動了芯片級封裝（CSP）以及大功率、高光密度FC-COB的技術革命，改變了傳統支架封裝與高功率陶瓷封裝的兩頭為大的格局。硅基LED獲國家科技發明一等獎后，再次成為行業熱題，這又將如何改變芯片與封裝應用的市場前景？
LED芯片工藝、封裝材料、熒光粉涂覆、透鏡設計、晶圓級封裝、基于高壓交流驅動的集成光引擎（DOB）等上中游技術都將呈現出怎樣的最新進展和發展趨勢？上中游技術革新將在未來的產業格局變遷中發揮怎樣的作用？敬請關注芯片、封裝與模組技術的最新發展動向。
征文方向:
- LED芯片制造技術新進展
- 高光效紫外、藍、青、綠、黃、橙、紅光、紅外芯片技術
- 正裝芯片、倒裝芯片和垂直芯片技術
- LED封裝材料（基板，固晶材料，硅膠，熒光粉等）的新發展
- 熒光粉、量子點技術與涂敷新工藝
- 透鏡設計與光學模塊
- 芯片級與晶圓級封裝技術
- 多芯片封裝及COB光源的設計與優化
- 高品質、全光譜光源新發展
- 用于高良率、低色容差的先進封裝工藝與制造技術
- 用于新一代應用的LED光源模組、光引擎
P206：生物農業光照技術
光是農業生產中最重要的環境因子之一，在調控動植物及微生物生長發育、實現高產、優質、高效等方面具有不可替代的重要作用。在現代農業生產系統中,人工光源已廣泛應用于設施種植業、設施養殖業、設施水產與海洋捕撈、食用菌與微藻繁殖以及植保誘/驅蟲等領域。當前，圍繞LED光源在生物農業領域的基礎研究及應用研發極為活躍，有關動植物光質生物學機理及“光配方”研究、專用LED光源技術研發及其在現代農業的應用示范等均取得一定的進展，但仍有一些基礎性問題以及產業發展方向需要進一步深入研討，如生物農業“光配方”數據庫構建、高效生物農業LED光源研發、LED與現代農業產業鏈對接等。 生物農業照明分會論壇將針對當前LED現代農業應用的熱點和前沿問題，匯聚國內外同行專家進行深入研討，探討動植物光質生物學機理、“光配方”構建與專用光源裝置創制最新進展，以及LED與植物工廠、育苗工廠、溫室補光、畜禽養殖、食用菌與微藻繁殖、植保誘蟲等現代農業結合的新理念、新技術和新成果，權威解讀技術產業發展脈動，為LED在現代農業的應用指明方向。
征文方向:
- LED動植物光質生物學進展
- 生物農業光配方技術
- 生物農業LED光源制造技術
- LED現代農業（植物工廠、育苗工廠、溫室補光、畜禽養殖、水產養殖、海洋捕撈、食用菌與微藻培養、植保誘蟲等) 應用進展
- 生物農業LED節能調控技術
- 農業LED光源新材料與新工藝
- 農業低成本LED系統設計與優化
P207：光健康與光品質
隨著LED照明及其控制技術的發展，人們開始追求優良的光品質，以滿足自身對于健康和色品質的訴求。LED光源小巧、易控、可調的特點，為健康而舒適的照明提供了機遇和挑戰。隨著應用領域的不斷擴大，如何針對室內外不同的應用場合、人的個性化需求，通過優化LED光源及照明方式，提供健康而舒適的照明環境和符合醫療要求的光品質，是當前面臨的重要挑戰。
近年來，光照對人體健康的影響機制得到深入的研究，新型LED器件也發展迅猛，因此LED技術在生活和醫療中的應用日益增多，這些領域成為LED技術應用的新藍海。誠然，該技術在視覺發育和視覺生理等方面的影響還需要進一步的探討，且設備研究和開發中的很多問題也亟待行業專家共同解決。同時，色品質作為在一定的色彩保真度下，衡量喜好性、鮮艷度、自然度、吸引程度、色差等視覺感知的評價標準，也正逐漸得到重視和應用。
征文方向:
- 光輻射損傷和健康調理的光生物學研究
- 光對視覺健康影響的機理研究
- 面向健康和醫療應用的新型LED光源研究
- 健康照明的光環境設計
- LED健康照明的調控技術
- LED健康照明光環境質量評價及應用
- 健康照明和光醫療的評價和標準化
- LED光療的臨床試驗研究
- LED在健康照明及光醫療中的典型應用
- 色品質測量，如顏色保真度，色域，色域形狀，白度
- 建立在不同應用場景下評價視覺舒適度的色品質標準
P208：Micro-LED與其他新型顯示技術
半導體發光器件是顯示技術與照明技術的共同基礎。近年來，隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展，新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密，為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。從器件角度看，新型顯示與照明技術所對應的發光器件包括：Micro-LED、有機發光二極管（OLEDs）、量子點發光二極管（QLEDs）、半導體激光器、鈣鈦礦發光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導體發光器件。其中，Micro-LED近年來發展尤為迅速。這些器件涉及的共性關鍵技術包括：發光效率、亮度/照度、工作電壓、色域、響應速度、可集成性、壽命和可靠性、散熱技術等。從系統應用看，新型顯示與照明技術還涉及到新型基板、電路驅動與控制、面板制造工藝、激光技術等，對新型顯示與照明技術的發展起著重要的作用?；诮换ズ突拥闹悄芟袼睾椭悄茱@示逐漸受到關注, 把Micro-LED、探測器、傳感器、微型IC和其他獨特的功能集成到顯示器中創建高度集成的半導體信息顯示(HISID), 以實現出色的互動和沉浸式體驗。
征文方向:
- Micro-LED 材料、器件、驅動、表征和應用技術
- OLED材料、器件、驅動、表征和和應用技術
- 激光顯示與照明技術
- QLED材料、器件、驅動、表征和和應用技術
- PerLED及其他新型發光器件
- 顯示用先進成膜技術
- 柔性基板技術和封裝技術
- 透明導電材料與技術
- 新型顯示用電路驅動與控制技術
- 高度集成半導體信息顯示（HISID）技術
P209：超寬禁帶半導體與新型第三代半導體
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。本分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。
征文方向：
- 超寬禁帶半導體材料關鍵設備制造技術
- 超寬禁帶半導體材料制備技術及其物性研究
- 超寬禁帶半導體材料電力電子器件技術
- 超寬禁帶半導體材料光電子器件技術
- 其他新型半導體材料物性研究與應用技術
P210: 可靠性與熱管理技術
芯片結溫一直是制約半導體器件功能和壽命的重要因素，相關的熱管理技術與可靠性分析已經從單個產品朝整個系統的面向發展。在這一過程中新型散熱材料、熱管理技術、面向可靠性設計、故障數據與失效分析、制造過程中的控制及可靠性篩選、壽命加速老化測試方法、失效模式與仿真模擬等技術的進步等都影響整個系統的可靠性。
征文方向:
- 氮化物半導體缺陷分析
- 新型封裝材料可靠性
- 熱管理及散熱技術
- 可靠性測試評估及預測方法
- 制備工藝過程中的可靠性控制篩選
- 失效模式及失效分析
- 可靠性設計及仿真模擬
- 新型應用中面臨的可靠性問題
征文流程
1. 作者提交論文擴展摘要（Extended Abstract）,提交至郵箱 papersubmission@china-led.net 。
2. 通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3. 作者依據組委會的錄用通知準備材料：
1) 口頭報告：作者需準備論文摘要與演示文件（PPT/PDF），可選擇提交論文全文作為補充內容；
2) POSTER：作者需準備論文摘要與POSTER文件，可選擇提交論文全文作為補充內容（組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并按照編號在POSTER展示區域自行張貼）
3) 入刊會議論文集：作者需準備論文全文。作者需要根據論文模板準備論文全文。
注：
1) 官方網站（http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn）提供模板下載，請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2) 錄取論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
征文要求
1. 基本要求：
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發表過的論文;
2) 主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位;
3) 按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內容不超過4頁;
4) 論文全文需符合APA撰寫規范并符合模板排版格式
2. 語言要求：
1) 作者須提交文體規范的英文論文；
2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業性宣傳內容的論文，不予安排在論壇演講。
重要期限及提交方式
1. 論文全文和新摘要提交截止日期：2020年10月15日
2. 最終論文錄用通知：2020年10月25日
3. 口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2020年11月20日
組委會聯系方式
白璐（Lu BAI)
電話：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
2019年度大會會議論文集下載：
鏈接: https://pan.baidu.com/s/1WmBVbLlYaVN6VB9joqsSjQ
提取碼: un8d
0755 - 6112 0988
深圳市龍華區大浪街道高峰社區華達路烏石崗工業區10棟
